EddyCus®map C2C是一種全自動測量設備，用于晶圓襯底或外延片的全面積表征，以確保半導體行業的工藝可靠性和質量保證。EddyCus map C2C全自動電阻率成像系統配備了兩個在傳輸模式下工作的非接觸式渦流傳感器。這允許非常詳細地顯示基底材料或導電涂層的均勻性。該系統能夠測量薄膜的薄層電阻或金屬膜厚度以及晶圓襯底的電阻率。

創新的浮動晶圓技術

在器件的開發過程中，重點是將系統與晶圓的接觸減少到最小，以免影響晶圓的完整性。因此，該設備幾乎非接觸式工作。晶圓基板或涂層的表面沒有被觸摸。僅選擇性地并且在晶圓的側表面上以很小的力進行接觸。請查看我們的EddyCus®地圖C2C視頻，了解處理過程。

高分辨率、全表面晶圓map

測量設備可對晶圓或涂層進行高分辨率的全區域成像，讓您深入了解表征晶圓的質量。根據設置和您的時間要求，可以想象幾十到數萬個測量點。

該軟件還提供了各種分析工具，如直方圖或各種線輪廓。要查看晶圓上的某個區域的具體細節，您可以使用選擇工具選擇相關位置，然后使用線輪廓或直方圖再次對其進行分析。

用于150毫米和200毫米晶圓的暗盒

EddyCus®map C2C有一個裝載裝置，可以裝載150毫米（6英寸）晶圓和200毫米（8英寸）晶圓的晶圓載體。晶片載體的容量為25個晶片。

自動晶圓搬運

對于晶片成像，晶片從暗盒/載體轉移到渦電流傳感器，然后放回暗盒。對于希望減少處理晶圓時間的制造企業來說，一個有用的工具是自動化晶圓處理。我們的自動化晶圓處理技術降低了勞動力成本，提高了加工精度，并降低了人為錯誤的可能性。晶片由系統精確測量、處理和運輸，從暗盒到測量站，再返回暗盒。通過這樣做，不再需要人為操作晶片，從而防止測量誤差和潛在的晶片損壞。

專用于寬帶隙材料，如SiC、GaN

一種被稱為寬帶隙材料的半導體材料具有比典型半導體更寬的能帶隙。晶體管和其他集成電路是在半導體領域使用寬帶隙材料制成的。這些組件對半導體至關重要，因為它們提供了更高的功率效率和更快的切換時間。寬帶隙材料適用于高功率應用，因為它們也具有較大的擊穿電壓。它們能夠更好地承受輻射，這使它們非常適合用于太空應用。碳化硅、氮化鎵和金剛石是具有寬帶隙的材料的幾個例子。許多不同的應用，如電源、太陽能電池和激光二極管，都使用這些材料。

薄層電阻、層厚度和電阻率測量

EddyCus® map C2C能夠確定薄膜的薄層電阻和厚度以及晶片襯底的電阻。該設備具有大的測量范圍，這意味著幾乎所有可能的應用都可以通過該設備進行測量。

EddyCus map C2C全自動電阻率成像系統技術參數